晶體管類型：PNP
集射極擊穿電壓(Vceo)：30V
集電極電流(Ic)：3A
功率(Pd)：500mW
集電極截止電流(Icbo)：1μA
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@2A,200mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：100@1A,2V
特征頻率(fT)：50MHz
工作溫度：+150℃@(Tj)