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STB24N60DM2
STB24N60DM2
主要參數(shù) 
  • 制造廠商：ST（意法半導體）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  • 制造商產(chǎn)品型號：STB24N60DM2
  • 制造商：ST（意法半導體，STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：FDmesh? II Plus
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：18A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：200 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1055pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：D2PAK
  • 現(xiàn)在可以訂購STB24N60DM2，國內(nèi)庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。